等離子清洗去除殘留干膜，并能提高干膜表面潤濕性
文章出處：等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間：2022-09-05
封裝基板在芯片和印制電路板互連中起橋梁作用，其線路精細(xì)程度、引腳分布數(shù)都遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)的印制電路板或背板．在封裝襯底技術(shù)從簡單的雙面襯底進(jìn)化到超高密度襯底，這就要求封裝基板走向高密度化設(shè)計與制造．無核封裝基板制作技術(shù)作為高密度封裝基板的主要生產(chǎn)技術(shù)之一，其工藝流程的特征是圖形轉(zhuǎn)移獲得銅柱的圖形模板，再進(jìn)行自下而上的電鍍得到導(dǎo)電銅柱。
相比于傳統(tǒng)的線路的圖形轉(zhuǎn)移工藝，銅柱制作工藝使用的干膜厚度厚，顯影液較難進(jìn)入干膜底部，導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移后的干膜微孔底部有嚴(yán)重的殘留物，使電鍍銅柱底部產(chǎn)生底部不均勻性，影響信號傳輸?shù)耐暾裕m然顯影時間較長時，干膜微孔底部干膜殘留物能被去除，但是干膜表面和銅柱口部會被顯影過度，由干膜微孔長生的銅柱形態(tài)和性能均會受到影響。
等離子清洗技術(shù)廣泛應(yīng)用在電子行業(yè)（主要是半導(dǎo)體和光電工業(yè)）、橡膠、塑料、汽車及國防等領(lǐng)域．在半導(dǎo)體制造業(yè)中，等離子清洗技術(shù)已經(jīng)成為不可或缺的工藝，其主要作用是能夠有效提高半導(dǎo)體元器件在生產(chǎn)制造過程中表面的潔凈度，提高產(chǎn)品的可靠性。
等離子清洗干膜原理：
用于干膜清洗的氣體是O2和CF4，在高頻的作用下產(chǎn)生等離子體，如下反應(yīng)：
O2→O+O（1-1）
CF4→CF2+2F（1-2）
CF4→CF3+F（1-3）
清洗過程中活化態(tài)的O原子通過進(jìn)攻C=C鍵、C=O鍵進(jìn)行反應(yīng)，而F原子則進(jìn)攻C-H鍵，形成活躍物質(zhì)，然后和氧原子反應(yīng)生成揮發(fā)性產(chǎn)物而被排出系統(tǒng)。清洗過程分五個步驟：等離子產(chǎn)生，等離子向物體表面擴散，和被清洗材料發(fā)生反應(yīng)，得到易揮發(fā)的產(chǎn)物，脫離材料表面，產(chǎn)物被抽走。
等離子清洗后表面形貌分析
SEM觀察等離子清洗前后的干膜表面形貌，分析等離子清理對干膜表面形貌的影響，如圖1所示．
圖 1 干膜的表面形貌 ：（ａ ） 等離子清洗前 ，（ｂ ） 等離子清洗后
從圖1（a）可以看出：在02/CF4等離子清洗前，干膜表面平滑，沒有特別明顯的凹坑或者凸起，但由于顯影不凈造成了干膜微孔底部存在大量的干膜殘留物．如圖1（b）所示，經(jīng)過02/CF4等離子清洗后的干膜表面變得凹凸不平，干膜微孔底部的干膜殘留基本被清除，且干膜微孔形完整未被破壞．對比等離子處理前后的干膜形貌發(fā)現(xiàn)，02/CF4等離子清洗對孔內(nèi)外均有蝕刻作用，形成粗糙的干膜表面，清除干膜微孔底部干膜殘留的效果明顯，且干膜微孔形貌未被破壞。
以上就是國產(chǎn)等離子清洗機廠家納恩科技整理的有關(guān)等離子清洗去除殘余干膜的資料，02/CF4等離子清洗可以較好地清除了銅柱圖形底部的干膜殘留，同時還能達(dá)到潤濕干膜的效果，提高干膜的表面能，從而提高了電鍍后的電鍍銅柱底部的均勻性，有利于封裝基板線路層間的信號傳遞的完整性。
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