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等離子體活化清洗對硅/玻璃鍵合的影響

文章出處:等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間:2023-01-03
等離子體是物質(zhì)繼固態(tài),液態(tài)和氣態(tài)之后的第四種狀態(tài)。當施加的電壓達到擊穿電壓時,氣體分子被電離產(chǎn)生電子,離子,原子和原子團的混合物。同時,還會發(fā)生各種復雜的物理和化學反應(yīng),例如離子分子反應(yīng),電子碰撞反應(yīng),發(fā)光,光電離等。
等離子體活化

等離子體活化對材料表面性能的影響


(1)去除材料表面雜質(zhì)
待鍵合的材料表面并不是理想的光滑平面,其表面附著雜質(zhì)和氧化物。當材料表面雜質(zhì)較多,較大時,在鍵合過程中會起到阻礙作用。研究發(fā)現(xiàn),當材料表面雜質(zhì)得到處理后,可以大幅縮短鍵合所需的時間。這意味著,去除雜質(zhì)可以使得陽極鍵合更容易也更快的進行。因此,表面雜志的處理對于鍵合而言是非常重要的。

等離子體活化可以去除材料表面的雜質(zhì),當材料表面存在雜質(zhì)時,高能粒子直接作用于材料表面的雜質(zhì),破壞去除雜質(zhì),對材料表面起到了清洗作用,改善了材料表面條件。

(2)對材料表面化學活性的影響
玻璃制作時,硅酸鹽以O(shè)H的形式存在,與氫原子連接或獨立存在。當采用等離子體對表面處理時,產(chǎn)生了大量的放電微通道,此時這些微通道內(nèi)的高能粒子直接作用于玻璃表面,大量粒子不斷與材料表面碰撞消散,介質(zhì)阻擋放電產(chǎn)生的低溫等離子體的電子能量在4-5ev的范圍內(nèi),足以破壞氫鍵能(0.2-0.3ev)。因此,當產(chǎn)生的等離子作用于玻璃表面時,玻璃表面的化學鍵發(fā)生斷裂,變?yōu)榉磻?yīng)活性性更好的O和OH基團。
材料表面存在自由基,它會結(jié)合放電產(chǎn)生的活性離子,在材料表面引入強反應(yīng)性極性基團。羥基或羧化常發(fā)生在生成的自由基的位置上,將含氧基團引入到硅/玻璃表面以增強表面反應(yīng)性。

(3)表面性能對鍵合的影響
經(jīng)過等離子體活化后的材料表面具有更好的表而性能。等離子清洗材料表面,去除了大量雜質(zhì),這使得在鍵合時鍵合界面不會被雜質(zhì)阻隔,有著更大的接觸面積。同時材料表面引入了大量活性基團,這些基團直接存在在相互作用力,可以拉近鍵合界面之間的距離,增強電場力,促進鍵合產(chǎn)生。

當硅/玻璃鍵合表面被空氣中等離子體活化處理后,等離子形成的種類繁多的活性粒子,這些活性離子在粒子的作用下具有1-10ev的能量,在與硅/玻璃晶片的表面發(fā)生碰撞時,表面存在的SI-O鍵(鍵能約3.8ev)、H-O鍵(鍵能約5ev)、H-H鍵(鍵能約0.2-0.3ev)、等化學鍵打開,形成大量具有活性的懸掛鍵,使得材料表面除了傳統(tǒng)鍵合反應(yīng)外,鍵合界面的羥基還將發(fā)生脫水縮合反應(yīng):

Si-OH+OH-Si→Si-O-Si+H2O      (1-1)

相比未活化的界面,經(jīng)過等離子體活化處理后的鍵合表面將會發(fā)生更多的鍵合反應(yīng),將形成成更多的鍵合點,而陽極鍵合是有點及面的鍵合反應(yīng),因此這將會促進陽極鍵合的完成。

低溫等離子體清洗材料表面的雜質(zhì),打斷材料表面化學鍵,引入極性基團,改善了材料表面性能。

鍵合界面接觸后,通過毛細力、氫鍵及范德華力拉近,由于活化后材料表面存在極性基團,它們拉近鍵合材料表面的距離。界面間存在的水分子發(fā)生化學反應(yīng)可以形成Si-OH,同時水分子在間隙中擴散,形成了許多氫鍵在此時逐漸形成。其余的水分子一部分逐漸沿縫隙中釋放出來,一部分進入材料基體,從而進一步縮小材料間的距離,此時發(fā)生更多的脫水縮合反應(yīng),又進一步排除水分子,從而使反應(yīng)式1-1不斷正向進行,并且由于活化后材料表面存在大量OH以及懸掛鍵,界面間得到更多的Si-O-Si,從而大幅提升界面強度。反應(yīng)進行到這時,鍵合界面中多余的水分子基本消除,脫水反應(yīng)也接近尾聲,數(shù)量更多的鍵合點己經(jīng)形成。此時,鍵合界面的接觸面積在此時會影響鍵合的進一步發(fā)展,而活化后的表面雜質(zhì)被清除,表面變光滑,兩側(cè)接觸面積更高,鍵合進一步發(fā)展,鍵合能就更大,鍵合效果更好。以上原因使得較低的鍵合溫度下能夠形成有效的鍵合。這就是界面活化促使低溫鍵合實現(xiàn)的根本原因。

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