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容性耦合等離子體源與感性耦合等離子體源
工業(yè)生產(chǎn)中常用的等離子體主要由氣體放電產(chǎn)生,其中應用較為廣泛的等離子體源有:單頻/雙頻容性耦合等離子體源、感性耦合等離子體源等。
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容性耦合等離子體源與感性耦合等離子體源
文章出處:等離子清洗機廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間:2023-09-04
工業(yè)生產(chǎn)中常用的
等離子體
主要由氣體放電產(chǎn)生,其中應用較為廣泛的等離子體源有:單頻/雙頻容性耦合等離子體源、感性耦合等離子體源等。
容性耦合等離子體源
容性耦合等離子體源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)是在集成電路刻蝕工藝中最早使用的等離子體源,其反應裝置簡單,目前仍是半導體工業(yè)中主要的等離子體源。CCP源的反應裝置如圖1-1所示,反應裝置被放置在真空腔室中,在腔室里面主要由兩塊平行電極板組成,其中一塊電極板通過匹配網(wǎng)絡連接射頻電源,另外一塊電極板接地,兩個電極板之間構成了一個平行板電容器。在容性耦合等離子體放電裝置中,電極板之間的距離一般是0.02~0.1m,氣壓在10~100mTorr之間,電源頻率通常是工業(yè)中常用到的13.56MHz。在CCP放電裝置中,等離子體加熱機制包括隨機加熱和歐姆加熱兩種方式。在射頻電源的作用下,腔體內(nèi)部存在著射頻電場,在電極板附近形成鞘層,鞘層中的正電荷數(shù)量要比負電荷多。電子運動到鞘層時,獲得加速,即發(fā)生隨機加熱。此外,被加速的電子和中性粒子發(fā)生碰撞,即發(fā)生歐姆加熱。
圖1-1 單頻容性耦合等離子體源裝置
單頻CCP放電裝置要想增加等離子體密度,需要提高電源頻率,但是這也會造成離子能量過高,在轟擊基片時可能會造成損傷。為了實現(xiàn)獨立地控制等離子體密度和離子能量,在單頻電源裝置的基礎上提出了雙頻容性耦合等離子體放電裝置,其中低頻電源用來控制離子能量,而高頻電源用來控制等離子體密度。如圖1-2所示,雙頻電容耦合等離子體源裝置有兩種形式,一種是高頻電源和低頻電源在同一側電極板上,另一種是高頻電源和低頻電源各在一個電極板上,兩種方式在不同的半導體制造公司都有使用。兩個射頻源的頻率相差較大,目前在工業(yè)中使用的有27MHz和2MHz的組合、162MHz和13.56MHz的組合等。一個電源頻率較高,可以用來獨立地控制等離子體密度,另一個電源頻率較低,可以用來獨立地控制離子到達晶片的能量。
圖1-2 雙頻容性耦合等離子體源裝置
感性耦合等離子體源
感性耦合等離子體源在上世紀90年代開始被廣泛使用,如圖1-3所示,感性耦合等離子體源(Inductively Coupled Plasma,ICP)根據(jù)線圈放置位置的不同,可以分為兩種類型,一種是將線圈纏繞在反應腔體的側面,另一種是將線圈放置在反應腔體的上方。兩種類型的感性耦合等離子體源裝置均可實現(xiàn)對等離子體密度和能量的獨立控制,其中線圈中的射頻源用來控制等離子體密度,在基片上加的射頻偏壓可以獨立控制離子能量。ICP源裝置將射頻電源加到線圈當中,在線圈中產(chǎn)生交變電流,從而在腔室內(nèi)產(chǎn)生交變的電磁場,電子在電磁場的作用下被加速,和周圍的氣體發(fā)生電離碰撞反應,產(chǎn)生等離子體,同時環(huán)向的電場減少了帶電粒子對腔體側壁的撞擊。ICP源放電裝置的工作氣壓很低,一般在0.1Pa到1Pa,但是可以產(chǎn)生非常高密度的等離子體,可以達到10
17
~10
18
m
-3
,被廣泛應用于大型集成電路的刻蝕工藝中。
圖1-3 感應耦合等離子體源裝置
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