半導(dǎo)體硅晶圓等離子體清洗技術(shù)
文章出處：等離子清洗機(jī)廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時(shí)間：2023-05-02
微電子集成電路技術(shù)的發(fā)展依賴(lài)于硅晶圓片的硅晶圓半導(dǎo)體材料表面質(zhì)量。近幾十年的經(jīng)濟(jì)與科技飛速發(fā)展，以硅作為基礎(chǔ)材料的微電子行業(yè)得到崛起和迅猛發(fā)展。微電子產(chǎn)業(yè)的對(duì)于國(guó)家科技發(fā)展和戰(zhàn)略布局的重要性不言而喻，它不僅是國(guó)民經(jīng)濟(jì)支柱產(chǎn)業(yè)，還對(duì)國(guó)家科學(xué)發(fā)展、國(guó)防科技發(fā)展以及社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展起著十分重要的作用。硅晶圓半導(dǎo)體材料不僅是微電子集成電路行業(yè)發(fā)展中的基礎(chǔ)材料，而且硅晶圓半導(dǎo)體材料的制造工藝、清洗工藝還對(duì)集成電路和光電轉(zhuǎn)換材料的發(fā)展方向及發(fā)展步伐起著決定性的作用。
如果想實(shí)現(xiàn)硅晶圓半導(dǎo)體芯片制造與集成電路的長(zhǎng)足發(fā)展，那么首先應(yīng)該需要取得高性能的硅晶圓材料。在集成電路的研究和制作過(guò)程中，微電子行業(yè)對(duì)高性能硅晶圓半導(dǎo)體芯片的要求越來(lái)越高，不僅要其具備極高的平面度，還要具備較高的表面的光滑度，盡量減少表面的粗糙度，同時(shí)還需做到硅晶圓材料表面的干凈度，做到無(wú)污染，光滑，無(wú)痕跡，完整性。隨著當(dāng)代科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，集成電路規(guī)模的擴(kuò)大，將會(huì)增加對(duì)硅晶圓半導(dǎo)體芯片尺寸的要求?，F(xiàn)在對(duì)于硅晶圓半導(dǎo)體芯片的刻線寬度已經(jīng)不限制在亞微米的范圍內(nèi)了，甚至在向著納米的寬度發(fā)展。
在對(duì)納米級(jí)的硅晶圓半導(dǎo)體材料研究過(guò)程中，其要求是越來(lái)越高，越來(lái)越精細(xì)，比如硅晶圓半導(dǎo)體芯片表面的污染物很容易對(duì)其產(chǎn)生不利作用，所以對(duì)納米級(jí)硅晶圓半導(dǎo)體材料的性能，將會(huì)被管制的越來(lái)越嚴(yán)厲。
在集成電路硅晶圓片的硅晶圓半導(dǎo)體材料表面清洗過(guò)程中，硅晶圓半導(dǎo)體材料表面清洗技術(shù)的主要要求是是為了得到潔凈度高，清洗效果高，清洗效率高。因此，對(duì)常用的清洗方法和測(cè)試手段有一個(gè)全面的了解，全面掌握一些清洗方法的機(jī)理是發(fā)揮硅晶圓半導(dǎo)體材料表面高效清洗的重要內(nèi)容。
等離子體清洗技術(shù)
原子失去電子或者原子電離后形成正、負(fù)離子，組成的離子化的氣體狀態(tài)的物質(zhì)被稱(chēng)為等離子體。等離子體可以是高能態(tài)，也有可能是激發(fā)態(tài)。無(wú)論何種狀態(tài)都具有很強(qiáng)的化學(xué)活性。目前，在硅晶圓半導(dǎo)體材料表面清洗技術(shù)應(yīng)用過(guò)程中，采用等離子體清洗技術(shù)，已經(jīng)具備了較為豐富的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)和實(shí)際案例。等離子體清洗不但可以清洗晶圓表面，還可以提高表面活性，提高材料表面粘接能力，提高焊接能力，親水性等，優(yōu)勢(shì)十分明顯，因此等離子清洗在清洗行業(yè)中應(yīng)用前景極其廣泛。
等離子體清洗技術(shù)具有很多優(yōu)點(diǎn)，操作過(guò)程簡(jiǎn)單、方便，清洗工藝簡(jiǎn)單直接，并且清洗過(guò)程不引入化學(xué)試劑，污染小、廢料少、效率高。等離子體清洗技術(shù)，既是優(yōu)點(diǎn)很多，但是技術(shù)缺陷仍較明顯。例如，該技術(shù)的清洗技術(shù)不夠穩(wěn)定，體現(xiàn)在清洗速率無(wú)法控制均勻，清洗時(shí)間很難精準(zhǔn)控制，清洗成本無(wú)法精準(zhǔn)控制；尤其是在去除光刻膠使，清洗速率稍顯不足，易使光刻膠發(fā)生碳化或石墨化帶來(lái)新的污染物。有機(jī)物一旦發(fā)生了碳化或者石墨化后，一般的濕法表面清洗技術(shù)就無(wú)法徹底清洗除去。此時(shí)就需要等離子體清洗技術(shù)進(jìn)行預(yù)處理后再清洗。然而，該技術(shù)雖然對(duì)于有機(jī)污染物清楚效果較好，卻對(duì)于顆粒污染物和金屬污染物的清洗效果較差。
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